碳化硅

UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率

本文探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域，从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。

电子熔丝通过其可配置性、受控的导通和关断、车载诊断和对高电压瞬变的耐久性提高了系统级性能

宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块

Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富，提供优异的散热，极大简化了热管理

650 V、20 A碳化硅整流器模块适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。

本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管将电动汽车的续航里程延长多达 5%

电源设计人员面临着提供更高效、更可靠和体积更小的解决方案的挑战，他们正在寻求 SiC 等新技术来帮助他们应对这些挑战并降低总成本。

新的650V、20A碳化硅整流器模块适用于3kW 至11kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、 EV充电站和板载充电器等应用的需要