SiC-MOSFET

在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联

1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型<

与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%

漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的

功率半导体包含功率集成电路和功率分离式组件。功率集成电路安装在驱动电路板上，以发送信号控制功率组件/模块进行开关

新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上

本文主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。

目前SiC MOSFET体二极管的可靠性研究论文和报告较少，本文针对SiC MOSFET的体二极管可靠性进行研究。

在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。