Nexperia

实现长达10倍电池寿命，扩展在物联网设备中的应用范围

Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性

本文介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。

Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装

NCA9595采用可通过寄存器配置的内部上拉电阻，可根据实际需要自定义以优化功耗。当需要扩展I/O数量时，利用该产品组合可实现简洁的设计，同时尽可能减少互连

10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战

NEH2000BY 可帮助简化能源采集解决方案的设计过程，其体积比其他竞争产品小20倍，且无需针对单个应用进行额外优化

RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用

Nexperia推出符合AEC-Q101标准的产品组合，其中包含六个ESD保护器件(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在保护LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和SENT等车载网络(IVN)中的总线免受静电放电(ESD)和其他瞬变造成的损坏

大功率LED灯串（例如汽车前灯中用的灯串）要求电流恒定，也就是无论环境温度和输入电压如何波动变化，电流都保持稳定