IGBT

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。

IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。

与分立产品设计相比，IGBT IPM在易于设计、安全性、可靠性和节省空间等方面具有诸多优点。 IGBT IPM的可定制性较差，但其本质上的使用方法就是根据应用产品选择合适的IGBT IPM。

功率半导体驱动电路是集成电路的一个重要子类，功能强大，用于IGBT的驱动IC除了提供驱动电平和电流，往往带有驱动的保护功能，包括退饱和短路保护、欠压关断、米勒钳位、两级关断、软关断、SRC(slew rate control)等

随着汽油成本上升以及人们对汽车尾气排放带来的环境问题的日益关注，汽车工业正在加快研究开发油耗更低、功率密度更高、鲁棒性更强的新型动力传动系统。

英飞凌推出了采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT，该器件符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，能大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。

此次新发售的2kV工业LV100封装T系列IGBT模块是为DC1500V电力变换器设计的2kV耐压产品，主要可用于几百千瓦到几兆瓦级的大容量系统，以满足可再生能源的供电需求。

IGBT是一种电压驱动的电子开关，正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通，实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电，还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻，电流取决于栅极电荷，但我们一般讲的是峰值电流。

本文以功率循环曲线为例介绍如何正确理解IGBT厂家给出的功率循环曲线。