IGBT

本文将探讨如何调整模块设计来改善热性能

新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值），比GT50JR22降低了大约43%

本文详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。

搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？

本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms

本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。

本文介绍了一种新的用于大功率应用的XHP™ 2 IGBT模块，包括低杂散电感设计原理、开关特性和采用IGBT5/.XT技术可以延长模块的使用寿命等关键点。

栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。

今天我们总结一下Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项。