IGBT

Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性

在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构

IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同

DIPS26智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和IGBT芯片，优化内部布局与引脚分布，是包括空调压缩机、变频洗衣机、变频烟机

远程新能源商用车集团推出国内首个正向研发的新能源重卡数智架构GXA-T，并发布了基于全新架构打造的远程星瀚G系列重卡

随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈

1SP0635V2A0D将Power Integrations成熟可靠的SCALE-2™开关性能和保护特性与可配置的隔离串行输出接口相结合，增强了驱动器的设定灵活性，且能提供全面的遥测报告，以实现准确的寿命估算

紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数（PF）

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。

1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比，芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响，但它们也会影响开关损耗。