IGBT

宏微科技推出75A-450A不同电流等级的半桥模块和75A-150A的H桥一体化模块。通过每相采用单个或两个及以上半桥模块并联

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度

本文将展示一种可回流焊接的TO-247PLUS单管封装，该封装可将器件芯片到DCB基板的热阻降至最低。

Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。

本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。

NPC2三电平拓扑因为其效率高，谐波含量低，在光伏逆变器设计中应用非常广泛

多元融合高弹性电网将分布式电源和储能系统融入电网系统中，具有明显的负载可调特性，有助于电力系统调度控制从传统的“源随荷动”向“源网荷储友好互动”模式转变

一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中，我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展

IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子

全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%