贸泽科普实验室 | 据说这三个器件关系不一般
judy-- 周五, 03/01/2024 - 11:45
在现代电子中,三极管、MOSFET、IGBT是电子人口中的“常客”,但很多人可能一知半解,或只知其一不知其二,尤其是电子新手,接下来跟着我们重新认识一下他们吧。
在现代电子中,三极管、MOSFET、IGBT是电子人口中的“常客”,但很多人可能一知半解,或只知其一不知其二,尤其是电子新手,接下来跟着我们重新认识一下他们吧。
新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
SPM31 IPM通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流,以实现出色效率
为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多,这是SiC天生的缺陷吗?今天我们简单分析一下。
安森美可靠性审核程序提供了一种强大的方法,可以发现 IGBT 产品线中潜在的工艺异常迹象
本文将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。
本文介绍安森美的IGBT常规进行的可靠性测试
英飞凌科技推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块,用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构
IGBT 的安全工作区(SOA)是使IGBT在不发生自损坏或性能沒有下降的情况下的工作电流和电压条件
SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能,保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏