GaN

光探测与测距(LiDAR)是一项具有巨大发展潜力的技术。首个概念是在激光发明后不久的20世纪60年代提出的，随后在测量，航空航天和自动驾驶汽车方面的机会真正推动了增长。

这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势，并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置

氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中

ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项

三芯片解决方案提供可配置的 GaN 偏置点自动校准，使工程师能够在不改变电路板设计的情况下最大限度地提高不同 GaN 功率放大器 (PA) 的系统性能

纳芯微全新推出GaN相关产品，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K，均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。

KYOCERA AVX和VisIC Technologies扩大合作，开展下一代电动汽车应用GaN技术开发

本文将介绍使用不同类型的 GaN FET 进行设计来提高系统设计的功率密度所需考虑的最重要因素。

GaN产业已经建立一套方法来保证GaN产品的可靠性，因此问题并不在于“GaN是否可靠？”，而是“如何验证GaN的可靠性？”