GaN

英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证

为加速实现碳中和，正在实施各种电气化和节能化举措。

TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，12V和24V输出型为承受峰值负载，可提供140%的功率

本文将解读PMIC如何用于设计和控制雷达、无线基础设施、卫星通信和其他应用中的RF GaN PA技术

本文简要讨论了氮化镓的优势及其设计挑战。然后，介绍了Power Integrations的三个带有内部氮化镓功率开关的集成离线反激式转换开关 IC 平台

电机驱动设计方面的技术进步为我们开启了许多大门。例如在运动控制系统中，更高精度、效率和控制能力给用户体验性和安全性

本白皮书讨论了GaN固有的物理特点。以及常关d模式GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势

据Yole预测，预计到 2028 年，功率 GAN 市场将占电力电子市场的 6% 以上。其中，消费类快速充电器和适配器仍然是 Power GaN 的主要驱动力

针对欧洲杯足彩竞猜 中的48V轻混系统应用，英诺赛科推出了2.4kW 双向buck/boost 参考设计，为48V轻混系统提供先进解决方案。

英诺赛科推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本