650 V、20 A碳化硅整流器模块适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管将电动汽车的续航里程延长多达 5%
电源设计人员面临着提供更高效、更可靠和体积更小的解决方案的挑战，他们正在寻求 SiC 等新技术来帮助他们应对这些挑战并降低总成本。
新的650V、20A碳化硅整流器模块适用于3kW 至11kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、 EV充电站和板载充电器等应用的需要
本文将回顾该领域的发展，同时比较机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器 (SSCB) 的优缺点
如今，大多数半导体都是以硅（Si）为基材料，但近年来，一个相对新的半导体基材料正成为头条欧洲杯足彩竞猜 。这种材料就是碳化硅，也称为SiC
氮化镓技术将继续在国防和电信市场提供高性能和高效率。射频应用目前主要是碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件
在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要
要想让设备不断实现更好的节能指标，用功率器件取代传统开关是必要的一步。可以说，功率器件创新的方向就是为了打造更节能的社会
Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。那么，如此小巧的TOLL封装能带来什么？