晶体管

未来的晶体管,新进展

CEA -Leti和英特尔今天宣布了一项联合研究项目,旨在开发 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物 (2D TMD) 的层转移技术,目标是将摩尔定律扩展到 2030 年以后

了解这些就可以搞懂 IGBT

IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同,集电极和发射极与双极晶体管相同

晶体管的下一个25年

任何芯片的基本组成部分都是晶体管,最近晶体管迎来了 75 岁生日。今天我们将讨论它的下一个 25 年

科学家在工程晶体中获重大突破:可让计算机以更低功率运行

加州大学伯克利分校的工程师们描述了在晶体管--构成计算机构件的微小电子开关--的设计中的一项重大突破,它可以在不牺牲速度、尺寸或性能的情况下大大降低其能源消耗。该元件被称为闸极氧化层,其在晶体管的开关中起着关键作用。

一键解锁!晶体管结构工艺发展历程

从人工智能(AI)到5G、物联网(IoT)、再到自动驾驶汽车,半导体不知不觉已经成为第四次工业革命时代的核心技术之一。随着半导体技术的先进化和复杂化,半导体工艺也在快速发展。