输入过压是由电网负载的巨大波动引起的。例如，在用电高峰期，电压通常较低，而在设备关闭时，电压则较高
器件限制、损耗、EMI、PCB布局难度提升等问题都是制约开关频率无限提升的因素，下面稍微展开来讲一下！
本文研究并比较了影响因素，包括解耦电容位置、功率FET尺寸和位置以及过孔布置。
为了简单的说明电源的工作模式，用仿真软件模拟一个Buck电路用于展示几种工作模式的情况。
本文解释了实现优化电路板布局的基础，这是开关电源设计中的一个关键方面。
在开关电源中，稳定直流信号中交流纹波的叠加通常都是工程师苦恼的问题，那么我们如何来减小和抑制纹波噪声呢？
我们必须提高对EMI问题的重视程度，在设计之初就考虑EMI问题，而这关键之处就在于必须从源头入手解决，本篇文章就教你如何搞定开关电源EMI。
东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z产品，它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。
反激式开关电源的RCD钳位电路由电阻R1、电容C1和二极管D1组成，如下图，其中：Lk为变压器的漏感，Lp为变压器原边绕组电感
本文主要讲述了常见的开关电源拓扑结构特点和优缺点对比。