东芝

该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导通时间最大值缩短至0.25ms

“TCR1HF18B”、“TCR1HF33B”和“TCR1HF50B”分别提供1.8V、3.3V和5.0V的输出电压。该系列稳压器可提供高电压、宽输入电压范围及业界最低[1]的待机电流消耗。

东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路

新款ThermoflaggerTM IC与PTC热敏电阻结合使用，可根据温度改变电阻值进行监测。它们可检测放置在热源附近的PTC热敏电阻的电阻值变化，并输出FLAG信号以显示过温

东芝推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列，该系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和150Mbps的高速数据速率

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。

新产品可以通过外部终端进行指令节点和响应节点之间的模式切换。此外，它具有5μA（典型值）的电流消耗（睡眠）（IBAT_SLP）[6]，且待机模式消耗电流低

新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值），比GT50JR22降低了大约43%

TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET

新产品使用东芝的模拟器件整合工艺（BiCD），实现0.4Ω（典型值）的导通电阻，比东芝现有产品低50%以上。