常关D模式GaN相比常关E模式GaN的优势
judy-- 周五, 09/08/2023 - 11:22![](https://cdn.eetrend.com/files/styles/picture400/public/2023-09/wen_zhang_/100574209-316664-changxiaoyingguanvssanjiguan.jpg?itok=R0uvzgo_)
本白皮书讨论了GaN固有的物理特点。以及常关d模式GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势
本白皮书讨论了GaN固有的物理特点。以及常关d模式GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势
Transphorm FET利用简单的半桥门驱动器实现高达99%的效率,验证了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案
这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势,并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置
Transphorm用于紧凑型功率转换应用的SuperGaN产品系列目前包括三款650V器件:480 mΩ FET、300 mΩ FET以及150 mΩ FET。这些器件采用标准的PQFN 5x6和8x8封装,并可在150°C下满足JEDEC认证标准。