ESD

两款产品的工作温度范围为-55 °C到+150 °C，不仅满足耐静电放电要求，并且将空间需求降到了最低

增强型解决方案采用Minicast封装，可提供即插即用的方式替换现有系列器件，供电电流降低50 %，抗ESD能力达到12 kV

目前电子组件大约占据一辆汽车总价值的三分之一，而且这个比例还将上升。汽车中17%的半导体故障是由静电放电(ESD)造成的，因而必需采取适当的ESD保护措施。

增强型TSOP2xxx、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和 TSOP77xxx系列器件采用新一代控制IC提高光性能

车辆中可能会短暂存在高电压，而仅比规定电压高出几伏就足以损坏高度敏感的IC器件。因而针对静电放电 (ESD)、抛负载(load dump)脉冲和瞬变提供充分保护是至关重要的。

本白皮书旨在围绕以下模型，对其进行纠正，其中包括：人体模型 (HBM) >2 kV，带电设备模型 (CDM) >1 kV。

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

DF2B6M4BSL的总电容仅为0.15pF（最大值），是东芝当前所能提供的最小电容，较东芝的现有产品DF2B6M4ASL降低了大约25%。

将积层贴片压敏电阻、齐纳二极管等ESD保护元件安装在ESD发生源附近可有效地应对ESD。然而，ESD的侵入路径很难确定，这就导致了所安装的ESD保护元件没有发挥其原有实力的情况时常发生。